Транзистор 2SC3669-O npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SC3669-O. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
1W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
80V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
80V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
2A
Температура перехода (Tj)
125єC
Граничная частота (Fгр)
100MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
30
Коэффициент усиления (hFE)
80/160
Производитель
TOSHIBA
Применение
Medium Power, General Purpose
Искать 2SC3669-O в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее