Транзистор 2SC648H npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SC648H. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
100mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
30V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
25V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
6V
Ток коллектора (Iк)
30mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
175MHz
Коэффициент усиления (hFE)
160MIN
Производитель
HITACHI
Применение
Low Power, Low Noise, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SC648H в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее