Транзистор 2SC732TM-G npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SC732TM-G. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
300mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
35V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
30V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
100mA
Температура перехода (Tj)
125єC
Граничная частота (Fгр)
40MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
10
Коэффициент усиления (hFE)
200/400
Производитель
TOSHIBA
Применение
Low Power, Low Noise, General Purpose
Искать 2SC732TM-G в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее