Транзистор 2SC941TM-R npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SC941TM-R. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
400mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
35V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
35V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
4V
Ток коллектора (Iк)
100mA
Температура перехода (Tj)
125єC
Граничная частота (Fгр)
80MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
3
Коэффициент усиления (hFE)
40/80
Производитель
TOSHIBA
Применение
RF, Low Power, General Purpose
Искать 2SC941TM-R в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее