Транзистор 2SD1012 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SD1012. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 250mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 20V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 15V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 700mA
Температура перехода (Tj): 125єC
Граничная частота (Fгр): 250MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 8
Коэффициент усиления (hFE): 160MIN
Производитель: SAMSUNG
Применение: Medium Power, High Current

Аналоги

2N3404 2SB808 2SD1020 BC639 KT630G

В справочнике: 5 из 5. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.