Транзистор 2SD1119 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SD1119. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 500mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 40V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 7V
Ток коллектора (Iк): 5A
Температура перехода (Tj): 150єC
Коэффициент усиления (hFE): 260T
Производитель: MATSUSHITA
Применение: Power, General Purpose

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.