Транзистор 2SD113 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SD113. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
200W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
100V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
80V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
10V
Ток коллектора (Iк)
30A
Температура перехода (Tj)
125єC
Граничная частота (Fгр)
200KHz
Коэффициент усиления (hFE)
10MIN
Производитель
TOSHIBA
Применение
High Power, High Voltage, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SD113 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее