Транзистор 2SD1145F npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SD1145F. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
900mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
60V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
20V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
6V
Ток коллектора (Iк)
5A
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
120MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
45
Коэффициент усиления (hFE)
160MIN
Производитель
SAMSUNG
Применение
Power, General Purpose
Искать 2SD1145F в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее