Транзистор 2SD1165A npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SD1165A. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 1250W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 1000V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 900V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 6V
Ток коллектора (Iк): 100A
Температура перехода (Tj): 125єC
Коэффициент усиления (hFE): 60MIN
Производитель: TOSHIBA
Применение: Darlington, Power, Switching

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.