Транзистор 2SD1166 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SD1166. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 2500W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 1000V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 900V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 6V
Ток коллектора (Iк): 200A
Температура перехода (Tj): 150єC
Коэффициент усиления (hFE): 150T
Производитель: HITACHI
Применение: Darlington, Power, Switching

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.