Транзистор 2SD1313 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SD1313. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
200W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
800V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
350V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
7V
Ток коллектора (Iк)
25A
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
6MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
170
Коэффициент усиления (hFE)
6MIN
Производитель
TOSHIBA
Применение
Power, High Voltage, General Purpose
Искать 2SD1313 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее