Транзистор 2SD1965 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SD1965. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 5W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 120V
Ток коллектора (Iк): 1A
Температура перехода (Tj): 150єC
Коэффициент усиления (hFE): 40MIN
Производитель: SONY
Применение: Medium Power, High Voltage

Искать 2SD1965 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.