Транзистор 2SD1983 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SD1983. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
20W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
60V
Ток коллектора (Iк)
1.5A
Температура перехода (Tj)
150єC
Коэффициент усиления (hFE)
10000T
Производитель
SONY
Применение
Darlington, Medium Power
Искать 2SD1983 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее