Транзистор 2SD216F npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SD216F. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
800mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
60V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
80V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
6V
Ток коллектора (Iк)
1A
Температура перехода (Tj)
175єC
Коэффициент усиления (hFE)
30MIN
Производитель
FUJITSU
Применение
Medium Power, General Purpose

Аналоги

2N2297 BFY50 KT360A

В справочнике: 2 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SD216F в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее