Транзистор 2SD36 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SD36. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
85mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
20V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
10V
Ток коллектора (Iк)
60mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
500KHz
Коэффициент усиления (hFE)
75MIN
Производитель
MATSUSHITA
Применение
Low Power, General Purpose
Искать 2SD36 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее