Транзистор 2SD536 npn
Справочные характеристики биполярного транзистора 2SD536. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- NPN
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 100W
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 200V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 20V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 5V
- Ток коллектора (Iк)
- 10A
- Температура перехода (Tj)
- 175єC
- Граничная частота (Fгр)
- 13MHz
- Коэффициент усиления (hFE)
- 50T
- Производитель
- FUJITSU
- Применение
- Power, High Voltage, General Purpose
Искать 2SD536 в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.