Транзистор 2SD638 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SD638. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 600mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 30V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 25V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 7V
Ток коллектора (Iк): 500mA
Температура перехода (Tj): 135єC
Граничная частота (Fгр): 100MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 6
Коэффициент усиления (hFE): 60/340
Производитель: MATSUSHITA
Применение: Medium Power, General Purpose

Аналоги

2N3859A 2SB643 2SD639 2SD969 BC337 ECG18 KT3117A

В справочнике: 7 из 7. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.