Транзистор 2SD642 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SD642. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 300W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 600V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 400V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 40A
Температура перехода (Tj): 150єC
Коэффициент усиления (hFE): 10MIN
Производитель: TOSHIBA
Применение: Power, High Voltage, General Purpose

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.