Транзистор 2SD648A npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SD648A. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 2500W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 300V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 300V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 4V
Ток коллектора (Iк): 400A
Температура перехода (Tj): 125єC
Коэффициент усиления (hFE): 100MIN
Производитель: TOSHIBA
Применение: RF, Power, High Voltage

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.