Транзистор 2SD655 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SD655. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
500mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
30V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
700mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
250MHz
Коэффициент усиления (hFE)
250MIN
Производитель
HITACHI
Применение
Medium Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 4 из 4. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SD655 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее