Транзистор 2SD662 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SD662. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 600mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 250V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 200V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 70
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 40MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 5
Коэффициент усиления (hFE): 30MIN
Производитель: MATSUSHITA
Применение: TV Horizontal Deflection

Аналоги

BF298

В справочнике: 1 из 1. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.