Транзистор 2SD696 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SD696. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
400W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
400V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
350V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
100A
Температура перехода (Tj)
150єC
Коэффициент усиления (hFE)
150MIN
Производитель
TOSHIBA
Применение
RF, Power, Darlington
Искать 2SD696 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее