Транзистор 2SD816 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SD816. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
30W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
300V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
6V
Ток коллектора (Iк)
4A
Температура перехода (Tj)
125єC
Коэффициент усиления (hFE)
1500T
Производитель
MATSUSHITA
Применение
Darlington, Power
Искать 2SD816 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее