Транзистор 2SD875 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SD875. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
500mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
80V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
80V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
500mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
80MHz
Коэффициент усиления (hFE)
160T
Производитель
MATSUSHITA
Применение
Medium Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 2 из 2. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SD875 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее