Транзистор 2SD879 npn
Справочные характеристики биполярного транзистора 2SD879. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- NPN
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 750mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 30V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 10V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 6V
- Ток коллектора (Iк)
- 3A
- Температура перехода (Tj)
- 150єC
- Граничная частота (Fгр)
- 100MHz
- Коэффициент усиления (hFE)
- 210T
- Производитель
- SAMSUNG
- Применение
- RF, Power, General Purpose
Искать 2SD879 в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.