Транзистор 2SD986-R npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SD986-R. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 10W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 150V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 80V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 8V
Ток коллектора (Iк): 1.5A
Температура перехода (Tj): 175єC
Коэффициент усиления (hFE): 3000T
Производитель: SAMSUNG
Применение: Darlington, Power

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.