Транзистор 2T3308V pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2T3308V. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 300mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 30V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 100mA
Температура перехода (Tj): 175єC
Коэффициент усиления (hFE): 200MIN
Производитель: MEB
Применение: RF, Low Power, General Purpose

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.