Транзистор 2T3513 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2T3513. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 250mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 25V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 10V
Ток коллектора (Iк): 150mA
Температура перехода (Tj): 175єC
Граничная частота (Fгр): 125MHz
Коэффициент усиления (hFE): 2000T
Производитель: MEB
Применение: RF, Low Power, General Purpose

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.