Транзистор 2T6551 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2T6551. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 800mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 75V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 500mA
Температура перехода (Tj): 175єC
Граничная частота (Fгр): 200MHz
Коэффициент усиления (hFE): 26MIN
Производитель: MEB
Применение: Medium Power, General Purpose

Аналоги

BCY58 KT608A

В справочнике: 2 из 2. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.