Транзистор 3N112 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 3N112. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 100mW
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 50V
Ток коллектора (Iк): 20mA
Температура перехода (Tj): 175єC
Граничная частота (Fгр): 12MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 10
Производитель: CRY

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.