Транзистор AD157VI npn

Справочные характеристики биполярного транзистора AD157VI. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
8W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
32V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
16V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
10V
Ток коллектора (Iк)
2A
Температура перехода (Tj)
85єC
Граничная частота (Fгр)
1MHz
Коэффициент усиления (hFE)
75/150
Производитель
SIEMENS
Применение
Medium Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 2 из 2. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать AD157VI в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее