Транзистор ASZ10 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора ASZ10. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 150mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 50V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 20V
Ток коллектора (Iк): 250mA
Температура перехода (Tj): 75єC
Граничная частота (Fгр): 10MHz
Коэффициент усиления (hFE): 20MIN
Производитель: SIEMENS
Применение: Medium Power, Switching, High Frequency

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.