Транзистор BC112G npn

Справочные характеристики биполярного транзистора BC112G. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
30mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
20V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
12V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
3V
Ток коллектора (Iк)
50mA
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
40MHz
Коэффициент усиления (hFE)
280MIN
Производитель
PHILIPS
Применение
Low Power, Low Noise, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать BC112G в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее