Транзистор BCF32R npn

Справочные характеристики биполярного транзистора BCF32R. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
350mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
32V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
32V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
100mA
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
300MHz
Коэффициент усиления (hFE)
200MIN
Производитель
PHILIPS
Применение
Low Power, Low Noise, General Purpose

Аналоги

2N1964 BC849 KT3130V

В справочнике: 2 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать BCF32R в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее