Транзистор BCR133 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора BCR133. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
200mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
50V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
50V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
10V
Ток коллектора (Iк)
100mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
130MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
3
Коэффициент усиления (hFE)
30MIN
Производитель
SIEMENS
Применение
Digital, Internal Rezistors R1=10K. R2=10K
Искать BCR133 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее