Транзистор BD830-16 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора BD830-16. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
8W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
100V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
80V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
1A
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
75MHz
Коэффициент усиления (hFE)
100MIN
Производитель
SIEMENS
Применение
High Power, High Voltage, General Purpose

Аналоги

2N4920 BD130 KT638D

В справочнике: 2 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать BD830-16 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее