Транзистор BDP949 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора BDP949. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
3W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
65V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
60V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
3A
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
100MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
40
Коэффициент усиления (hFE)
25/475
Производитель
SIEMENS
Применение
Power, General Purpose
Искать BDP949 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее