Транзистор BDT65AF npn

Справочные характеристики биполярного транзистора BDT65AF. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 22W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 80V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 80V
Ток коллектора (Iк): 12A
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 10MHz
Коэффициент усиления (hFE): 2000T
Производитель: PHILIPS
Применение: Darlington, Power

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.