Транзистор BF259G npn
Справочные характеристики биполярного транзистора BF259G. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- NPN
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 500mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 300V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 300V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 5V
- Ток коллектора (Iк)
- 200mA
- Температура перехода (Tj)
- 175єC
- Граничная частота (Fгр)
- 90MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 7
- Коэффициент усиления (hFE)
- 25MIN
- Производитель
- TI
- Применение
- VHF, Low Power, High Voltage
Аналоги
2N5O58
В справочнике: 0 из 1. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.
Искать BF259G в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.