Транзистор BF502S npn
Справочные характеристики биполярного транзистора BF502S. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- NPN
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 400mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 40V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 25V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 4V
- Ток коллектора (Iк)
- 20mA
- Температура перехода (Tj)
- 150єC
- Граничная частота (Fгр)
- 500MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 0.3
- Коэффициент усиления (hFE)
- 40T
- Производитель
- SIEMENS
- Применение
- RF, Medium Power General Purpose
Искать BF502S в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.