Транзистор BF509T pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора BF509T. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
250mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
40V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
35V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
4V
Ток коллектора (Iк)
30mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
500MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
0.5
Коэффициент усиления (hFE)
35MIN
Производитель
SIEMENS
Применение
VHF, Low Power, Low Noise
Искать BF509T в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее