Транзистор BF536 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора BF536. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 200mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 30V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 30V
Ток коллектора (Iк): 25mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 250MHz
Коэффициент усиления (hFE): 25MIN
Производитель: PHILIPS
Применение: RF, Medium Power General Purpose

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.