Транзистор BF570 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора BF570. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 360mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 40V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 40V
Ток коллектора (Iк): 100mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 500MHz
Коэффициент усиления (hFE): 50MIN
Производитель: TI
Применение: UHF, Low Power

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.