Транзистор BF979S pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора BF979S. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
160mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
30V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
25V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
3V
Ток коллектора (Iк)
50mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
1.8GHz
Ёмкость коллектора (Cк)
0.5
Коэффициент усиления (hFE)
20MIN
Производитель
SIEMENS
Применение
UHF, Low Power, Low Noise
Искать BF979S в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее