Транзистор BFG33 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора BFG33. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 300mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 9V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 7V
Ток коллектора (Iк): 20mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 2GHz
Ёмкость коллектора (Cк): 0.2
Коэффициент усиления (hFE): 25MIN
Производитель: PHILIPS
Применение: Low Power, Switching

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.