Транзистор BFG33X npn

Справочные характеристики биполярного транзистора BFG33X. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
300mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
9V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
7V
Ток коллектора (Iк)
20mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
2GHz
Ёмкость коллектора (Cк)
0.2
Коэффициент усиления (hFE)
45MIN
Производитель
PHILIPS
Применение
Low Power, Switching
Искать BFG33X в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее