Транзистор BFR35AP npn
Справочные характеристики биполярного транзистора BFR35AP. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- NPN
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 280mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 20V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 12V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 2V
- Ток коллектора (Iк)
- 30mA
- Температура перехода (Tj)
- 150єC
- Граничная частота (Fгр)
- 4.9GHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 0.7
- Коэффициент усиления (hFE)
- 40MIN
- Производитель
- SIEMENS
- Применение
- UHF, Low Power, Low Noise
Искать BFR35AP в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.