Транзистор BFR35AR npn

Справочные характеристики биполярного транзистора BFR35AR. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
200mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
12V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
12V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
3V
Ток коллектора (Iк)
30mA
Температура перехода (Tj)
125єC
Граничная частота (Fгр)
3GHz
Ёмкость коллектора (Cк)
0.7
Коэффициент усиления (hFE)
25MIN
Производитель
SIEMENS
Применение
Low Power, Switching
Искать BFR35AR в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее