Транзистор BFT99 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора BFT99. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 5W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 20V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 20V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 3V
Ток коллектора (Iк): 500mA
Температура перехода (Tj): 200єC
Граничная частота (Fгр): 3GHz
Коэффициент усиления (hFE): 25MIN
Производитель: SIEMENS

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.