Транзистор BFV70N p/n

Справочные характеристики биполярного транзистора BFV70N. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: P/N
Рассеиваемая мощность (Pc): 400mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 60V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 40V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 500mA
Температура перехода (Tj): 200єC
Граничная частота (Fгр): 200MHz
Производитель: TI
Применение: Quadruple

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.